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摘要
本文采用简单高效的一步水热法工艺制备了具有一维有序结构的金红石TiO2纳米线阵列，设计了Au/TiO2/FTO器件结构的金红石TiO2纳米线忆阻器，系统研究了器件的阻变存储特性和存储机制，构建了器件基于氧空位迁移的非线性阻变存储机制模型。结果表明，Au/TiO2/FTO结构金红石TiO2纳米线忆阻器具有非易失性的双极性阻变存储特性，器件的阻变开关比可以稳定的保持在102以上。此外，器件在低阻态时满足线性的欧姆导电特性，在高阻态时服从陷阱控制的空间电荷限制电流传导机制，而器件的阻变存储行为则遵循基于氧空位迁移的非线性离子迁移阻变存储机制，研究结果表明金红石TiO2纳米线忆阻器在下一代非易失性存储器方面具有重要的应用潜力。
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