高电源抑制比、低温飘带隙基准电压源的设计

作者：高献坤; 雷君召; 丁赪璐; 周西军; 李遂亮; 余泳昌

来源：河南农业大学学报, 2011, (04): 442-444+451.

DOI：10.16445/j.cnki.1000-2340.2011.04.006

• 带隙基准电压源
• 温度系数
• 电源抑制比 band gap voltage reference
• temperature coefficient
• power supply rejection ratio

采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种电源电压为3 V、基准输出为1.25 V的高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源电路.Cadence Spectre仿真结果表明,该基准源具有较好的温度特性,在-40~125℃温度范围内,温度系数为3.5×10-6.℃-1;电源电压在2.7~3.6 V范围内波动时,电源电压调整率为72μV.V-1;具有良好的电源电压抑制特性,最高抑制比可达89 dB,在10 kHz处可实现45 dB的电源电压抑制比.

• 单位
  广东交通职业技术学院; 河南农业大学