SiN钝化层对GaAs pHEMT低噪声放大器芯片耐氢效应能力的影响

作者：贾东铭^*; 张磊; 彭龙新; 林罡; 邹雷

来源：固体电子学研究与进展, 2018, 38(05): 329-342.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.20180425.001

• 氢效应
• 砷化镓
• 赝配型高电子迁移率晶体管
• 氮化硅钝化层
• 加速寿命试验

对两种不同钝化层状态的LNA芯片在不同氢气浓度下进行150℃、105h加速寿命试验。漏极电流监控曲线表明,加厚SiN钝化层器件在20%氢气浓度试验后仅下降约0.8%,试验前后电性能基本不变。通过加厚SiN钝化层有效提升了GaAs pHEMT低噪声放大器芯片在氢气氛围中的可靠工作寿命,这对于该类器件在组件中的实际应用具有重要意义。