一种适用于平面工艺的新型InAs-GaSb TFET

作者：吕红亮; 吕智军; 孙佳乐; 朱翊; 李苗; 张玉明

来源：2020-05-25, 中国, ZL202010449717.X.

本发明涉及一种适用于平面工艺的新型InAs-GaSb TFET,包括衬底；源区,设置在所述衬底上；第一漏区,设置在所述衬底上,且位于所述源区中；沟道层,设置在所述源区上；第二漏区,设置在所述第一漏区上；栅介质层,设置在所述沟道层和所述第二漏区上；栅极,设置在所述栅介质层上；源极,设置在所述源区上；漏极,设置在所述第二漏区上。本发明的新型InAs-GaSb TFET,设置有第一漏区和第二漏区,第一漏区位于源区中,通过先外延、后注入的优化工艺引入了重掺杂漏区pn结,利用反偏pn结的电学阻隔特点在电学上实现源区与漏区间的有效电学隔断,而且制备工艺简单,与传统平面CMOS工艺高度兼容。

• 单位
  西安电子科技大学