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摘要
针对碳化硅晶体抛光效率低的问题，研究碳化硅晶体的电化学机械抛光工艺，对比NaOH、NaNO3、H3PO4 3种电解液电化学氧化碳化硅晶体的效果。选用0.6 mol/L的NaNO3作为电化学机械抛光过程的电解液，使用金刚石–氧化铝混合磨粒，通过正交试验研究载荷、转速、电压、磨粒粒径对电化学机械抛光碳化硅晶体的表面质量和材料去除率的影响。采用优选的试验参数进行抛光试验，结果表明：在粗抛阶段可实现20.259μm/h的高效材料去除，在精密抛光阶段可获得碳化硅表面粗糙度Sa为0.408 nm的光滑表面。
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