一款高线性度正电压控制的压控衰减器

作者：许传栋; 苏郁秋; 董思源; 李光超; 周宏健

来源：电子设计工程, 2022, 30(21): 71-79.

DOI：10.14022/j.issn1674-6236.2022.21.015

• 砷化镓
• 正电压控制
• 高线性度
• 压控衰减器

针对高线性度压控衰减器对正电压作为控制信号的需求，基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）0.25μm工艺，设计了一款1～6 GHz正电压控制的高线性度微波单片压控衰减器（VCA）。该压控衰减器控制管芯选择电阻变化率更小的D-mode PHEMT晶体管，通过电压浮地技术和采用片上集成隔直电容的方式，对传统的T型衰减电路的拓扑结构进行改进，从而实现0～5 V的正电压控制和高线性度。芯片在片测试结果表明，基态插入损耗小于2.3 dB，端口输入、输出电压驻波比小于1.6∶1，压控衰减器的衰减动态范围为0～28 dB，芯片尺寸为1.75 mm×1.35 mm×0.1 mm。