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摘要
本发明涉及一种用于抑制短沟道效应的双阈值栅HEMT及制备方法,HEMT包括：自下而上依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和钝化层；源极和漏极,源极和漏极分别设置于插入层、势垒层和钝化层左右两侧,且位于沟道层的上表面；栅极,栅极设置于贯穿钝化层的栅槽内以及部分钝化层的上表面；预设结构,预设结构设置于栅槽之下,且靠近源极的位置,预设结构的上表面与势垒层的上表面齐平,下表面位于势垒层与插入层的界面之上。解决了GaN器件为提升性能、缩短栅长而带来的漏致势垒降低等短沟道效应的问题,抑制了栅下靠近源极侧电子势垒随漏压增大而下降的趋势,提升了器件的性能和可靠性。
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