退火处理降低AlGaN/GaN台面隔离电流

作者：赵志波; 杨兵^*; 康玄武^*; 张静; 吴昊; 孙跃; 郑英奎; 魏珂

来源：半导体技术, 2020, 45(04): 293-311.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.04.008

• AlGaN
• 台面区域
• 隔离电流
• 退火处理
• 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀

针对电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀后,AlGaN/GaN台面区域存在隔离电流高的问题,研究了不同退火氛围、时间、温度对台面隔离电流的影响。利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)及电学测量仪器对样品进行表征和测试。测试结果表明,在氧气和氮气氛围退火处理均能降低样品的隔离电流,且经退火处理后样品的隔离电流均处于10-9 A/mm数量级,但在氧气氛围中退火处理会使样品的欧姆接触电阻增大。在氮气氛围下的最佳退火处理条件为400℃、120 s。在该条件下样品经过退火处理后,在200 V直流偏压下测得样品的台面隔离电流仅为4.03×10-9 A/mm,与未经退火处理的样品相比降低了4个数量级,而且在高温测试中样品的隔离电流仍然能够保持较低的数值。

• 单位
  北方工业大学; 中国科学院微电子研究所