摘要
5d族过渡金属氧化物具有强自旋轨道耦合作用,可以衍生出诸多量子现象,例如,Sr2IrO4是强自旋轨道耦合导致的Mott绝缘体.为了研究Sr2IrO4新奇的电子结构和伴随的功能性,亟待调控其Mott能带.本文中,我们利用激光辅助分子束外延,在单晶SrTiO3衬底上外延制备了高质量的Sr2IrO4薄膜和Sr2IrO4/SrTiO3超晶格.电输运测试表明,热激发和Mott可变程跃迁两种传导机制分别适用于Sr2IrO4薄膜和Sr2IrO4/SrTiO3超晶格.这种传导机制的转变表明Sr2IrO4/SrTiO3界面电子结构发生了重构.此外,Sr2IrO4/SrTiO3超晶格的带隙从270.7–81.4meV的显著调控可能源自Ir–O–Ti界面电子去局域化导致的能带展宽.本研究表明,超晶格界面工程可在原子尺度上有效地调控强关联氧化物的电子结构.
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