一种用于先进封装的圆台硅通孔的刻蚀方法

作者：林源为; 赵晋荣^*; 曹泽京; 袁仁志

来源：电子与封装, 2023, 23(03): 120-125.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0066

• 先进封装
• 圆台硅通孔
• 等离子刻蚀法

在集成电路的制造阶段延续摩尔定律变得越发困难，而在封装阶段利用三维空间可以视作对摩尔定律的拓展。硅通孔是利用三维空间实现先进封装的常用技术手段，现有技术中对于应用于CMOS图像传感器件封装的圆台硅通孔，采用的是在顶部不断横向刻蚀的方式实现的，不利于封装密度的提高，且对于光刻设备的分辨率有一定的要求。针对现有技术中的问题，一种严格控制横向刻蚀尺寸（仅占原始特征尺寸的3%～12%）的圆台硅通孔刻蚀方法被研究探索出来。该方法通过调节下电极功率（≤30 W），获得了侧壁角度可调（70°～88°）、通孔底部开口尺寸小于光刻定义特征尺寸的圆台硅通孔结构。这一方法有望向三维集成电路领域推广，有助于在封装阶段延续摩尔定律。