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摘要
以聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯(P（VDF-CTFE）)为原料,经过消去反应脱除氯化氢,得到含有分子内双键的P（VDF-CTFE-DB）。选择高介电的钐掺杂铌镁酸铅-钛酸铅（PMN-PT-Sm）铁电陶瓷作为复合相,以可交联的P（VDF-CTFE-DB）作为聚合物基体,通过自由基反应形成交联型P（VDFCTFE-DB）/PMN-PT-Sm纳米复合薄膜。研究了不同掺杂量的PMN-PT-Sm和交联结构对P（VDF-CTFE-DB）/PMN-PT-Sm纳米复合薄膜介电、储能及漏电流性能的影响。结果表明,当掺杂30%（体积分数,下同）的PMN-PT-Sm时,纳米复合薄膜在100 Hz时的介电常数最大为65。当掺杂20%的PMN-PT-Sm时,纳米复合薄膜的击穿电场为3 200 k V/cm,储能密度达到最大值,为9.7 J/cm3。交联结构的引入显著提高了纳米复合薄膜的击穿电场,有效降低了纳米复合薄膜的漏电流、介电损耗以及提高了纳米复合薄膜的储能密度。此外,这种交联结构能赋予纳米复合薄膜优良的耐溶剂性能。
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