以碳化硅和氮化镓为典型代表的宽禁带半导体材料,与常规半导体硅或砷化镓相比,具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。介绍了宽禁带半导体技术在雷达中的应用及其在美国的发展,阐述了宽禁带半导体技术与雷达技术相结合带来的技术进步,及其对下一代雷达技术的影响。
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