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摘要
为解决通过更改器件设计来提升电路抗静电放电（ESD）能力时成本高的问题，从栅控二极管的工艺出发，研究CAN总线电路抗ESD能力提升方法。通过TCAD仿真，评估了沟道掺杂对于栅控二极管抗ESD能力的影响，发现调整ESD离子注入工艺可以优化栅控二极管导通电阻，提高ESD保护窗口内的泄流能力，将电路抗ESD能力从2 000 V提高到3 000 V，为电路级芯片的失效问题提供了一种解决方案。
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单位南京信息工程大学; 中国电子科技集团公司第五十八研究所
