Ag4Hg(SeO3)2(SeO4):原位合成法制备的混价硒氧化物类新型倍频材料(英文)

作者：王晓雪; 李小宝; 胡春丽; 孔芳^*; 毛江高^*

来源：Science China-Materials, 2019, 62(12): 1821-1830.

我们在Ag+-Hg2+/Bi3+-SeO32-体系探索合成新型非线性光学材料时获得了三例结构新颖的银硒氧化物:Ag4Hg(SeO3)2(SeO4)(1), Ag2Bi2(SeO3)3(SeO4)(2)和Ag5Bi(SeO3)4(3).它们展现了丰富的晶体化学:1和2为同时含六价和四价硒的混价氧化物; 1和3为在a、b或c轴含四、六或八元环孔道的三维开放式骨架结构; 1结晶于非心和极性空间群,并且可以显示出明显的倍频信号,约为商用KDP的35%.紫外漫反射光谱表明这三例化合物均为宽带隙半导体,其光学带隙分别为3.11、3.65和3.58e V.理论计算发现材料2和3为间接带隙半导体,其带隙是由Ag、Bi、Se和O原子共同决定的.

• 单位
  结构化学国家重点实验室; 福州大学