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摘要
针对碲锌镉(CdZnTe)晶体中二次相缺陷问题，Cd源控制生长技术是更为有效的缺陷抑制技术。本文结合模拟仿真与实际测温调温，对比了VB法以及VGF法下Cd源处温度的可控性。在实现Cd源处温度控制基础上研究了不同Cd源处温度控制条件对晶体二次相缺陷尺寸及分布的影响。VB法中，Cd源处控制温度快速下降，晶体尾端出现三角形Te夹杂缺陷。VGF法中，在Cd源控制温度达到820～790℃范围内时，虽然晶体头部中心部分二次相缺陷问题改善效果一般，但晶体边缘及尾部二次相缺陷问题能够得到了极大改善。
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单位华北光电技术研究所
