三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构

作者：廖辉; 陈伟华; 李丁; 李睿; 贾全杰; 杨志坚; 张国义; 胡晓东

来源：发光学报, 2008, 29(5): 789-794.

• AlInGaN
• InGaN
• 量子阱
• 原子力显微镜

GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构.实验表明,采用InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,研究了这两种不同量子阱结构的显微特征.利用原子力显微镜表征了样品的(001)面;通过高分辨X射线衍射对两种量子阱结构的(002)面作ω/2θ扫描测得其卫星峰并分析了两种不同量子阱结构的界面质量;利用X射线衍射对InGaN/GaN 和AlInGaN/GaN这两种量子阱的(002)、(101)、(102)、(103)、(104)、(105)和(201)面做ω扫描,进而得到其摇摆曲线.最后利用PL谱研究了它们的光学性能.通过这些显微结构的分析和研究,揭示了InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构宏观性质不同的结构因素.

• 单位
  中国科学院; 物理学院; 北京大学