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摘要
基于0.25μm CMOS工艺SRAM器件的重离子及中能质子单粒子效应实验结果,简要分析了常见的三种由重离子单粒子翻转截面数据推导质子单粒子翻转截面数据的方法,并与器件质子单粒子效应实验数据进行了比较,利用SpaceRadiation软件预估了不同方法得到的器件典型轨道质子在轨错误率。总结了不同计算方法的适用性和准确性。
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基于0.25μm CMOS工艺SRAM器件的重离子及中能质子单粒子效应实验结果,简要分析了常见的三种由重离子单粒子翻转截面数据推导质子单粒子翻转截面数据的方法,并与器件质子单粒子效应实验数据进行了比较,利用SpaceRadiation软件预估了不同方法得到的器件典型轨道质子在轨错误率。总结了不同计算方法的适用性和准确性。
