AlN成核层厚度对Si上外延GaN的影响

作者：邓旭光; 韩军; 邢艳辉; 汪加兴; 范亚明; 陈翔; 李影智; 朱建军

来源：光电子-激光, 2013, (07): 1338-1343.

DOI：10.16136/j.joel.2013.07.016

• GaN
• AlN成核层
• Si衬底
• 金属有机化合物气相沉积(MOCVD) GaN
• AlN nucleation layer
• Si substrate
• metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD)

采用低温AlN成核层,在Si(111)衬底上,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长了GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜(AFM)研究了AlN成核层的厚度对GaN外延层的影响。对AlN的测试表明,AlN的表面粗糙度(RMS)随着厚度增加而变大。对GaN的测试表明,所有GaN样品在垂直方向处于压应变状态,并且随AlN厚度增加而略有减弱。GaN的(0002)_ω扫描的峰值半宽(FWHM)随着AlN成核层厚度增加而略有升高,GaN(10-12)_ω扫描的FWHM随着厚度增加而有所下降。(10-12)_ω扫描的FWHM与GaN的刃型穿透位错密度相关,A1N成核...

• 单位
  中国科学院; 北京工业大学; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所