不同扩散掩膜方式对InGaAs平面探测器性能影响研究(英文)

作者：王云姬; 唐恒敬; 李雪; 邵秀梅; 杨波; 邓双燕; 龚海梅

来源：红外与毫米波学报, 2014, 33(04): 333-336.

• InGaAs
• 诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)
• 扩散掩膜
• 暗电流

测量了不同扩散掩膜生长方式的截止波长为1.70μm的InGaAs平面探测器的电学性能.其中,SiNx薄膜作为扩散掩膜,分别采用等离子体化学气相沉积(PECVD)和低温诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)生长.探测器焊接在杜瓦里测量,结果显示采用两种掩膜方式的器件的平均峰值响应率、探测率和量子效率分别为0.73和0.78 A/W,6.20E11和6.32E11cmHz1/2W-1,56.0%和62.0%;两种器件的响应波段分别为1.631.68μm和1.621.69μm;平均暗电流密度分别为312.9 nA/cm2和206 nA/cm2.通过理论分析两种器件的暗电流成分,结果显示,相对于采用PECVD作为扩散掩膜生长方式而言,采用ICP-CVD作为扩散掩膜生长方式大大降低了器件的欧姆暗电流成分.

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院上海技术物理研究所; 传感技术国家重点实验室