InGaAs/GaAs量子阱中自组装InAs量子点的光学性质

作者：孔令民; 姚建明; 吴正云

来源：半导体光电, 2007, 28(2): 198-201.

DOI：10.3969/j.issn.1001-5868.2007.02.012

• 自组装InAs量子点
• 量子阱
• 时间分辨谱

在InGaAs/GaAs量子阱中生长了两组InAs量子点样品,用扫描电子显微镜(SEM)测量发现,量子点呈棱状结构,而不是通常的金字塔结构,这是由多层结构的应力传递及InGaAs应变层的各向异性引起的.采用变温光致发光谱(TDPL)和时间分辨谱(TRPL)研究了其光致发光稳态和瞬态特性.研究发现,InGaAs量子阱层可以有效地缓冲InAs量子点中的应变,提高量子点的生长质量,可以在室温下探测到较强的发光峰.在量子阱中生长量子点可以获得室温下1 318 nm的发光,并且使其PL谱的半高宽减小到25 meV.

• 单位
  厦门大学; 浙江海洋大学