面向5G毫米波通信的砷化镓低噪声放大器设计

作者：张耀; 苏进

来源：无线互联科技, 2021, 18(17): 3-4.

• 低噪声放大器
• 砷化镓(GaAs)
• 毫米波

基于0.15μm的砷化镓(GaAs)p HEMT工艺设计了一款毫米波低噪声放大器MMIC芯片。该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构。测试结果显示,工作频率范围覆盖26～30 GHz,可兼顾5G毫米波n257(26.5～29.5 GHz)频段,噪声系数在2.4～3.0 dB的水平,小信号增益在23～26 dB。

• 单位
  广东工业大学