铌在单晶硅扩散中的行为实验分析

作者：姚峰英; 吴佳宏; 胡睿

来源：集成电路应用, 2022, 39(09): 22-23.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2022.09.008

• 集成电路制造
• 微细加工工艺
• 扩散系数
• 金属铌

阐述在某些新型器件的制备过程中需要使用金属铌作为特殊材料进行微细加工工艺，因此需要评估如何控制研发线上的铌浓度，实验估计铌从单晶硅片背面扩散到正面的时间，以及扩散系数。