陶瓷基Pt/ITO薄膜热电偶的制备与性能研究

作者：刘海军; 蒋洪川; 吴勐; 赵晓辉; 蒋书文; 张万里

来源：传感器与微系统, 2015, 34(03): 18-20.

DOI：10.13873/j.1000-9787(2015)03-0018-03

• Pt/ITO薄膜热电偶
• 射频磁控溅射
• 静态标定
• Seebeck系数

为了准确测量涡轮叶片表面温度,采用掩模图形化和射频磁控溅射的方法,在Al2O3陶瓷基片上沉积Pt/ITO薄膜热电偶,并对其进行了静态标定。结果表明:Pt/ITO薄膜热电偶在1 000℃进行大气气氛退火,随着退火时间的增加,样品热电势输出曲线稳定性逐渐增强,Seebeck系数也较大,标定曲线均具有很好的线性度,退火5h的样品的最大测温误差仅为16.03℃,可在4001100℃温度范围热循环中稳定工作约20h。ITO薄膜厚度对Pt/ITO薄膜热电偶热电性能几乎没有影响。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学