基于TSV技术的3D电感的设计与实现

作者：薛宇; 张洪泽; 刘鹏飞; 朱健

来源：电子元件与材料, 2018, 37(06): 49-52.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.06.010

• 硅通孔
• 电感
• 三维集成
• 微系统
• 无源集成器件
• 三维集成电路

随着集成电路集成度越来越高,传统的2D片上电感损耗高、占位面积大等缺点日益明显,无法满足3D集成的要求,因此提出了一种基于硅通孔(TSV)技术的新型螺旋3D电感。首先介绍了新型电感的结构,并进行了损耗机理的分析,通过仿真数据研究了基于TSV的3D电感的可行性,最后制作了实物并进行测试。测试结果表明,基于TSV的3D电感Q值在2.55 GHz达到峰值25左右,电感值在3 GHz内可以稳定在4 n H左右,自谐振频率为6 GHz左右。实现了高Q值、低占位面积的目标。