一种带P型埋层的4H-SiC PiN二极管

作者：王帅; 张有润; 罗佳敏; 罗茂久; 陈航

来源：微电子学, 2020, 50(05): 704-708.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190672

• PiN二极管
• 注入效率
• P型埋层
• 电流密度

碳化硅(SiC)PiN二极管是应用在高压大功率整流领域中的一种重要的功率二极管。受SiC外延材料的载流子寿命限制以及常规SiC PiN二极管较低的阳极注入效率的影响,SiC PiN二极管的正向导通性能较差,这极大限制了其在高压大电流领域的应用。文章提出了一种带P型埋层的4H-SiC PiN二极管,较常规SiC PiN二极管增强了阳极区的少子注入效率,降低了器件的导通电阻,增大了正向电流。仿真结果表明,当正向偏压为5 V时,引入P型埋层的SiC PiN二极管的正向电流密度比常规SiC PiN二极管提升了52.8%。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室