5～6 GHz限幅低噪声放大器的研制

作者：倪冬欣^*; 彭龙新; 李建平; 凌志健

来源：固体电子学研究与进展, 2020, 40(01): 18-22.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2020.01.004

• 赝型高电子迁移率晶体管
• 限幅器
• 低噪声放大器
• 负反馈

采用GaAs增强型pHEMT工艺,将限幅器和低噪声放大器集成在同一衬底,设计了一款用于5～6 GHz的限幅低噪声放大器。限幅器采用PIN二极管进行设计,低噪声放大器采用并联负反馈、源级电感负反馈以及电流复用结构,减小功耗的同时改善了增益平坦度和稳定性。测试结果表明,在工作频带内,限幅低噪声放大器的增益为27±0.2 dB,噪声系数为1.1～1.3 dB,总功耗为240 mW,耐功率大于46 dBm(2 ms脉宽,30%占空比),芯片尺寸为3.3 mm×1.3 mm。