悬浮区熔法中线圈中心厚度对电磁场的影响

作者：张伟才^*; 郑万超; 李聪; 冯旭

来源：材料导报, 2023, S1: 70-73.

• 悬浮区熔硅
• 线圈中心厚度
• 熔化的多晶硅表面
• 熔体自由表面
• 电磁场

为提高悬浮区熔(FZ)法的成晶率，使用模拟计算软件深入研究FZ硅单晶的生长过程。本文通过Comsol Multiphysics软件模拟FZ炉内的电磁场，分析不同线圈中心厚度对于电磁场的影响。随着线圈中心厚度增加，熔化的多晶硅表面电磁能量减小，而熔体自由表面电磁能量增加。如果线圈中心厚度过小，较小熔体自由表面电磁能量会导致穿过线圈的多晶硅棒中心区域不熔化；如果线圈中心厚度过大，较小熔化的多晶硅表面电磁能量使熔化的多晶硅减少，引起熔体自由表面形状改变。之后，本文使用中心厚度为1 mm、1.5 mm和2 mm线圈生长6英寸硅单晶，发现线圈中心厚度为1.5 mm时，线圈产生的电磁场更有利于硅单晶生长。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所