硒铟镓银多晶材料的合成研究

作者：朱伟林; 朱世富; 赵北君; 黄毅; 刘娟; 徐承福; 张建军; 陈宝军; 黎明

来源：四川大学学报(自然科学版), 2005, S1: 196-198.

• AgGa_(1-x)In_xSe_2
• 多晶材料
• 机械和温度振荡
• 单晶生长 AgGa_(1-x)In_xSe_2
• polycrystalline materials
• mechanical and temperature oscillation
• single crystal growth

根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.

• 单位
  四川大学