一种GaN系薄膜生长条件的在线检测装置及方法

作者:王少伟; 赵新潮; 陈飞良; 陆卫; 陈效双
来源:2019-07-10, 中国, ZL201910618869.5.

摘要

本发明公开了一种GaN系薄膜生长条件的在线检测装置及方法,通过非接触式的反射谱测量,可在线获取GaN系半导体薄膜在高温下影响材料生长的参数,实现材料生长过程中工艺条件的实时监控和薄膜质量检测。此方法可在线实时检测多个参数。本发明公开了一种实现该方法的装置,包括:在生长GaN系薄膜材料的反应室窗口引入石英光波导管,将光照射到样品上并将信号收集至光谱仪中;在石英光波导管周围通入氮气以保护光波导管端面不会沉积上薄膜材料而被污染;在用于生长薄膜的衬底与其下方的加热炉之间放置石墨盘基座挡光,以防止加热炉发光对反射谱测试结果的影响。