脉冲激光沉积技术制备的薄膜传感器的研究

作者：门洪; 邹绍芳; 王平; ANDRY Legin; 沈静琴; 许祝安

来源：浙江大学学报(工学版), 2005, 39(4): 600-604.

DOI：10.3785/j.issn.1008-973X.2005.04.031

• 薄膜化学传感器
• 光寻址电位传感器
• 脉冲激光沉积
• 硫系玻璃
• Fe3+敏感

基于脉冲激光沉积(PLD)技术在光寻址电位传感器(LAPS)表面上制备了Fe-Ge-Sb-Se硫系玻璃薄膜,合成的靶材成分为Fe1.2(Ge28Sb12Se60)98.8,在Si/SiO2基质上的金属层为Cr/Au,硫系玻璃薄膜对Fe3+敏感,显示了良好的重复性和稳定性.在1×10-5～1×10-2mol/L呈现线性,斜率为(56±2)mV/decade,检测下限为5×10mol/L,当浓度高于1×10-4mol/L时,响应时间不超过40 s;当低于此浓度时,响应时间不超过2 min.

• 单位
  生物传感器国家专业实验室; 生物医学工程教育部重点实验室; 浙江大学; 生物医学工程与仪器科学学院