化学浴沉积硫化铅薄膜及其晶体结构

作者：胡巧玲; 孙喜桂^*; 吴晨希; 田珍珍; 魏俞龙; 孙成行; 韩佳宏; 于可心

来源：电镀与涂饰, 2021, 40(19): 1501-1506.

DOI：10.19289/j.1004-227x.2021.19.008

• 硫化铅
• 化学浴沉积
• 晶体结构
• 形貌
• 禁带宽度

采用化学浴沉积法(CBD)在玻璃衬底上制备了PbS薄膜,探究了沉积时间(20～100 min)对其厚度、微观形貌、晶体结构和禁带宽度的影响。结果表明,化学浴沉积所得的Pb S薄膜均匀、致密,呈镜面光亮的黑色。随着沉积时间的延长,Pb S薄膜厚度先快速后缓慢增大,微观形貌逐渐由片状结构转变为立方体结构,择优生长取向从(200)转变为(220),禁带宽度先减小后增大。沉积60 min所得PbS薄膜的厚度约为853 nm,以(220)晶面为生长取向,禁带宽度为0.205 eV,光学性能最佳。

• 单位
  朝阳师范高等专科学校; 山东建筑大学