有源层厚度对IGZO薄膜晶体管性能的影响

作者：孟冰; 高晓红^*; 付钰; 孙玉轩; 王森

来源：吉林建筑大学学报, 2022, 39(01): 80-84.

• IGZO
• 薄膜晶体管
• 有源层厚度
• 磁控溅射

室温下使用射频磁控溅射设备在热氧化SiO2衬底上沉积厚度为33 nm,47 nm和59 nm的InGaZnO(IGZO)薄膜，并制备成薄膜晶体管器件，使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察IGZO薄膜的表面形貌，研究有源层厚度对IGZO薄膜晶体管电学性能的影响．实验结果表明，薄膜厚度为47 nm时，薄膜表面粗糙度最低，薄膜沉积质量最好．当IGZO有源层的厚度为47 nm时，界面陷阱态密度最小，器件的电学性能最佳，迁移率为1.71 cm2/(V·s)，阈值电压为24 V，亚阈值摆幅为2 V/dec，开关电流比达到7.83×107.

• 单位
  吉林建筑大学