集成电路芯片温度依赖的PbSe量子点PL光谱研究

作者：王鹤林; 张宇; 刘文闫; 王国光; 张铁强

来源：光谱学与光谱分析, 2015, 35(05): 1169-1172.

• 胶体PbSe量子点
• 光致发光光谱
• 集成电路
• 温度检测

制备了3.6,5.1和6.0nm三种尺寸的胶体PbSe量子点,并对其光学特性进行实验研究。在室温条件下,实验发现小尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生红移;大尺寸胶体PbSe量子点的光致发光光谱随温度升高发生蓝移。以PbSe量子点温度依赖的光致发光光谱特性为基础,提出一种新型的集成电路芯片温度检测方法。这种新型的温度检测方法是将胶体PbSe量子点沉积在集成电路板表面,使用激光器发射出平行激光束,使芯片表面的胶体PbSe量子点层光致发光,通过红外光谱仪接收光致发光光谱,实现温度的检测;利用图像采集系统对芯片表面特定微小区域成像,实现微米尺度区域的温度检测。实验结果表明,测量精度为±3℃,其相对误差不大于5%。

• 单位
  吉林大学; 集成光电子学国家重点实验室; 超硬材料国家重点实验室