完成了GGNMOS ESD器件的建模,提出了ESD瞬时大脉冲条件下二次击穿前保护器件GGNMOS的理论模型,并利用Spectre工具完成了模型的仿真验证。通过仿真得到二次击穿前保护器件GGNMOS I-V特性曲线,确定设计的GGNMOS器件的触发电压Vt、维持电压Vp等电参数能否满足ESD器件设计窗口的需要。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
