NO在MgO(001)缺陷表面吸附解离的量子化学研究

作者：徐艺军; 陈文凯; 章永凡; 李俊篯

来源：结构化学, 2004, (02): 192-196+124.

DOI：10.14102/j.cnki.0254-5861.2004.02.015

• NO
• 缺陷表面
• 氧化镁
• 量子化学研究 NO
• MgO(001) surface
• vacancy
• quantum chemical study

在密度泛函理论框架下,采用嵌入点电荷簇模型研究了NO在MgO(001)完整和缺陷表面上的吸附。研究结果表明:具有氧缺陷结构表面的催化活性较高,有利于NO键的削弱;当另一个NO分子进攻已吸附的NO分子时,NO键将进一步削弱,直致断裂,并伴有N2O产生,这与UPS和MIES实验观察到的现象一致。Mulliken布居分析指出,底物电子向NO转移,并填充到NO的*反键轨道上,从而导致NO键的削弱,并形成NO-。这也是可能导致形成NO-的原因。研究还表明,具有镁缺陷的MgO(001)表面对NO的解离没有催化活性。

• 单位
  结构化学国家重点实验室; 福州大学