正交试验优选G11掩模版涂胶工艺

作者：林超; 郑宇辰; 孙多卫; 周荣梵; 林伟

来源：集成电路应用, 2022, 39(01): 32-37.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2022.01.012

• 掩模版
• 正交试验
• 旋转涂胶
• 液晶显示

阐述为研究和实现11代生产线(G11)掩模版的涂胶工艺,验证最佳的旋转涂胶工艺参数。采用正交试验法,以转速、旋转加速度及时间为指标,优选出旋转涂胶的最佳工艺参数组合,并以色差、膜厚及均匀性指标来评价工艺,同时本文利用积分法量化了色差。从而对正交试验最佳涂胶工艺组合和不同组合进行涂胶及蚀刻后线缝、线宽特征值(Critical Dimension, CD)研究,得到最优涂胶工艺组合的膜厚平均值为732.3nm,膜厚均匀性为2.92%;线缝、线宽CD精度偏差分别为69nm和66nm。分析表明,研究证实旋转涂胶的转速ω及时间t对膜厚及均匀性有较大影响,旋转加速度及排风压力对色差及均匀性有影响。通过研究不同膜厚及膜厚均匀性对图形CD精度的影响发现,膜厚偏大或偏小对图形CD精度均有影响,但膜厚的均匀性对图形的CD精度及均匀性影响更大。