含有源磁控忆阻器的蔡氏电路混沌现象分析

作者：王殿学

来源：辽东学院学报(自然科学版), 2018, 25(01): 46-76.

DOI：10.14168/j.issn.1673-4939.2018.01.10

• 混沌
• 蔡氏电路
• 有源忆阻器

文章利用Multisim仿真软件对含有有源忆阻器构成的蔡氏电路出现混沌的现象进行了仿真研究,并测绘给出L=18 mH、C1=68 nF、C2=6.8 nF时,电路发生混沌现象与R取值关系的相图及工作波形。仿真实验结果表明:当蔡氏电路中的电感L、电容一定时,随R增大,电路震荡由线性—混沌现象—线性,当R达到一定值时电路出现无震荡;当电路电容一定、电感L取值变化时,随L增大,电路出现混沌现象时所对应的R值增大;当电感L一定、改变电容取值时,随电容取值增大,电路出现混沌现象时对应的R取值变小。

• 单位
  辽东学院