应变GeSn NMOS器件及其制备方法

作者：张洁; 宋建军; 任远; 胡辉勇; 宣荣喜; 舒斌; 张鹤鸣

来源：2017-02-10, 中国, ZL201711112559.3.

本发明涉及一种应变GeSn#NMOS器件及其制备方法。该NMOS器件包括：单晶Si衬底、第一Ge籽晶层、第二Ge主体层及应变GeSn层。本发明的NMOS器件具有很高的空穴和电子迁移率,可显著提升晶体管的速度与频率特性。

• 单位
  西安电子科技大学