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摘要
本发明公开了一种碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括衬底和依次层叠于所述衬底上的阴极层、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极界面层和阳极层,所述阳极界面层为厚度为170～240nm的Spiro-OMeTAD薄膜或厚度为10～40nm的聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]薄膜。本发明通过引入有机材料作为空穴传输层,有效地减少了载流子的复合,改善了漏电现象,相比于传统的倒置太阳电池,提高了器件短路电流和开路电压,改善了器件性能。本发明采用全溶液法加工,成本低,制作简便,有望实现大规模生产。
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