高分子辅助沉积法制备LaNiO3外延导电薄膜

作者：杨柱; 郭少波; 蔡恒辉; 董显林; 王根水

来源：无机材料学报, 2022, (5): 561-566.

DOI：10.15541/jim20210271

• LaNiO3
• 导电薄膜
• 高分子辅助沉积法
• 外延

近年来LaNiO3(LNO)作为铁电超晶格、超导异质结和催化剂材料引起了广泛关注.本研究采用简便、低成本的高分子辅助沉积法(Polymer Assisted Deposition,PAD),在(001)取向的SrTiO3(STO)单晶衬底上制备了导电性能优异的LNO外延薄膜,并对其进行各种结构和电学表征.摇摆曲线半高宽为0.38°,表明LNO薄膜结晶度良好.高分辨XRD的φ扫描进一步证实LNO薄膜在STO衬底上异质外延生长.原位变温XRD测试进一步表征了LNO薄膜的外延生长过程.结果表明,聚合物分解之后金属阳离子在单晶基体上有序释放并外延结晶.XPS结果表明,采用PAD制备的LaNiO3薄膜不存在氧空位.薄膜表面光滑,粗糙度为0.67 nm.在10～300 K温度区间内的变温电阻率表明LNO薄膜具有良好的导电性能.上述结果表明:PAD制备的LaNiO3薄膜具有较好的综合性能,PAD在制备外延功能薄膜材料方面具有很大的潜力.

• 单位
  高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室; 中国科学院大学; 上海硅酸盐研究所