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摘要
镓酸锌(ZnGa2O4)作为尖晶石双金属氧化物，禁带宽度可达4.9 eV，具有优异的荧光性质、良好的化学稳定性和热稳定性，具有广泛的应用前景。ZnGa2O4可应用于光电领域，制备深紫外光探测器、NO传感器、金属氧化物半导体场效应晶体管，还可作荧光粉发光。为全面了解材料性质，本文详细介绍了ZnGa2O4的晶体结构、禁带宽度、光学等性能；相比块状、粉末，ZnGa2O4薄膜性能更加突出，因而本文重点介绍ZnGa2O4薄膜的制备及应用：总结了目前几种常见的外延ZnGa2O4薄膜的生长方法，讨论发展趋势、分析优劣的同时对比不同外延方法并探讨温度、氧分压、锌镓比等参数对制备高质量ZnGa2O4薄膜的影响；汇总讨论了目前ZnGa2O4薄膜制备的主流器件，对其未来前景进行展望，指出问题以期为后续的技术发展提供参考。
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单位晶体材料国家重点实验室; 山东大学
