智能手机大气中子单粒子效应试验研究

作者：林倩; 黄奕铭; 张战刚; 李斌; 王松林; 梁天骄; 吴朝晖; 雷志锋; 彭超; 岳少忠; 何玉娟; 黄云; 恩云飞

来源：电子产品可靠性与环境试验, 2021, 39(S1): 46-51.

DOI：10.3969/j.issn.1672-5468.2021.S1.014

• 智能手机
• 大气中子
• 热中子
• 软错误
• 单粒子效应

基于中国散裂中子源BL09终端提供的宽能谱中子束流,开展智能手机大气中子单粒子效应试验研究。发现死机、内存清空和音频波形失真等故障现象,源于中子在7 nm FinFET工艺CPU、 DRAM和Flash芯片中引起的单粒子效应。计算由高能中子和热中子产生的各种故障类型的FIT值,发现高能中子产生的错误率较热中子高5～9倍。观测到录音波形出现幅度整体下降、时间维度的前后移位和局部波形失真等异常现象。试验结果表明,大气中子单粒子效应对地面数以亿计的消费电子产品有显著的影响,必须在产品设计时进行加固处理。

• 单位
  华南理工大学; 工业和信息化部电子第五研究所; 散裂中子源科学中心