IGBT驱动电路密勒效应的应对策略分析

作者：宫鑫; 王飞; 彭文亮; 许强强

来源：现代电子技术, 2018, 41(02): 44-47.

DOI：10.16652/j.issn.1004-373x.2018.02.011

• IGBT
• 驱动电路
• 密勒效应
• 分布电容
• 门极电阻
• 动态特性

IGBT的门极驱动电路影响IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路电流能力等,决定了IGBT的静态与动态特性。针对IGBT在开通和关断时,密勒效应对驱动的影响及其应对策略进行研究和分析。分析了密勒电容引起的寄生导通效应的4种应对策略,包括改变门极电阻,增加GE间电容,采用负压驱动以及有源密勒钳位技术,并分析了驱动电路中门极电阻对IGBT性能的影响。在此基础上,进行了实验对比,给出了实验分析结果。此外还对驱动与控制板的线缆连接要求进行了测试对比。实验结果表明,门极电阻的设置直接影响IGBT的开关性能,实际应用中需要综合考虑实际需求选择合适的门极电阻值来保证IGBT最优化地开通关断,密勒效应中的密勒电容对IGBT的开关性能影响非常大,驱动与控制板的线缆连接要求越短越好。

• 单位
  北京理工大学珠海学院; 武汉大学