<正>与传统的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的耐高温、高频和耐高压性能,已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外,SiC让设计人员能够减少元器件的使用,从而进一步降低了设计的