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摘要
铁电材料特有的自发极化能够产生极化内建电场。研究采用物理分散法将Ag2O和CdS纳米颗粒负载于铁电LiNbO3和玻璃基底表面，选择罗丹明B(RhB)作为代表性有机污染物，评价在不同基底表面的Ag2O和CdS的光催化降解效率。结果表明，同一种半导体纳米颗粒在不同基底表面的光催化活性依次表现为LiNbO3(+Z)>glass>LiNbO3(-Z);在相同基底表面，Ag2O比CdS表现出更优的光催化活性。基于铁电极化产生的半导体/铁电界面内建电场和光催化降解反应，提出了铁电极化影响半导体光催化降解性能的作用机制。
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