Au/Cd复合电极沉积方法对其与(111)面CdZnTe衬底接触性能的影响

作者：师好智; 张继军^*; 王淑蕾; 王振辉; 穆成阳; 薛名言; 曹萌; 黄健; 王林军; 夏义本

来源：红外与毫米波学报, 2020, 39(05): 595-600.

• CdZnTe
• Au/Cd复合电极
• 沉积方法
• 势垒高度

CdZnTe晶片是HgCdTe外延薄膜的理想衬底。为了优化CdZnTe衬底的电学接触性能,作者基于真空蒸发法和磁控溅射法分别在p型导电性CdZnTe晶片(111)B (富碲面)制备Au/Cd复合电极。通过接触粘附试验,研究了复合电极的制备方法对电极与衬底之间的粘附性;利用卢瑟福背散射光谱法(RBS)比较了不同沉积方法下样品的元素深度分布;采用电流-电压(I-V)测试比较了两种制备工艺对Au/Cd复合电极与CdZnTe衬底欧姆接触特性的影响,从而确定了最佳复合电极的制备工艺。

• 单位
  上海大学