摘要

将分子自组装单层膜技术应用于铁电液晶取向,结合传统摩擦技术制备了非对称取向的铁电液晶器件。采用在液晶相变过程中不施加电场的简易制备方法,获得了铁电液晶的均一排列。且对比实验表明,自组装膜末端基团极性越大,器件对比度越高。通过分子模拟和排列机理分析认为自组装膜极性端基的引入,基板附近处液晶分子偶极和自组装膜端基基团相互作用,导致自组装取向层和摩擦取向层表面处铁电液晶分子的偶极指向一致性,通过器件表面-内部液晶分子排列的诱导作用,从而实现了铁电液晶器件的单畴无缺陷排列。