摘要
本发明公开了一种金属氧化物透明导电薄膜,该金属氧化物为:在含铟的金属氧化物MO-In-2O-3中掺入少量稀土氧化物ReO作为光生载流子转换中心,形成(In-2O-3)-x(MO)-y(ReO)-z的透明导电材料。本发明在基于铟的金属氧化物中,通过引入稀土氧化物材料,实现载流子浓度的控制和提高迁移率;其通过利用稀土氧化物中稀土离子具有更低的电负性,并与氧离子形成的离子键Ln-O具有更高的断键能,因此可以有效控制In-2O-3薄膜内的氧空位浓度。稀土离子具有和铟离子相当的离子半径,能降低结构失配造成的缺陷散射,因此更能保持其较好的高迁移率特性。本发明还提供一种该金属氧化物透明导电薄膜的应用。
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