FinFET器件在极低温下特性研究

作者：吴钰鑫; 刘军^*; 汪国芳; 罗琳

来源：杭州电子科技大学学报(自然科学版), 2020, 40(05): 13-58.

DOI：10.13954/j.cnki.hdu.2020.05.003

• FinFET
• 极低温
• 直流特性
• 射频特性

研究FinFET器件在极低温下DC和RF特性。在低温测试台中,5组不同温度(77 K,120 K,200 K,250 K,300 K)下,将4对体硅FinFET器件进行在片测试。对测试得到的射频参数进行open-short去嵌处理,对处理后的数据进行对比分析。和器件工作在室温(300 K)相比,器件工作在77 K下,阈值电压升高了近75 mV,亚阈值斜率降低了50%,截止频率和最大振荡频率都提升了20%。

• 单位
  杭州电子科技大学