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摘要
本实用新型公开了一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件,所述HEMT功率器件主体采用外延硅衬底上的AlGaN/GaN异质结外延结构,包括由外延缓冲层,GaN沟道层,AlyGa1-yN势垒层,并在外延硅衬底上依次生长形成,在AlyGa1-yN势垒层上制作电极,所述电极包括栅电极、源电极和漏电极,栅电极制作于AlyGa1-yN势垒层上,位于源电极和漏电极之间；在源电极和栅电极之间、栅电极和漏电极之间的AlyGa1-yN势垒层上电极之外的区域形成一层多晶AlN层；所述HEMT功率器件为常关型。对于高性能、高可靠性氮化镓基器件的更广泛应用具有重要意义。
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